An improved theory of the contact potential difference measurement by means of the Kelvin vibrating condensor method applied to insulator-silicon structures is derived. The Kelvin method is used for the determination of both the surface potential in the insulator film reduced in thickness by stepwise etching and, under illumination of the silicon wafer, the surface potential of the silicon substrate. For sufficiently small interface charges the space-charge density distribution ϱ(x) in the oxide film and the surface charge density Qe can be determined from the results. Furthermore, it is shown that the neglect of the oxide thickness dependence of the band bending as well as spurious effects of the stray capacitances of the vibrating electrode may result in incorrect conclusions on the space-charge distribution. As the results show the oxide space-charge in wet oxidized Si-SiO2 samples is concentrated within a distance of several hundred Angstroms from the interface, while the surface charge density Qe reflects no characteristic thickness dependence. Es wird eine verbesserte Theorie zur Auswertung der Kontaktspannungsmeßwerte, die mit der Schwingkondensatormethode nach Kelvin an Halbleiter-Isolator-Strukturen gewonnen wurden, abgeleitet. Das Oberflächenpotential des Isolatorfilms, dessen Schichtdicke durch stufenweises Abätzen verändert ist, wird mit der Kelvinmethode gemessen. Gleichzeitig erfolgt die Bestimmung des Oberflächenpotentials des Siliziumsubstrates durch Beleuchtung der Halbleiterprobe. Mit Hilfe der erhaltenen Ergebnisse können die Verteilung der Raumladungsdichte ϱ(x) und die Dichte der Oberflächenladung Qe berechnet werden, wenn die Konzentration der Grenzflächenzustände genügend klein ist. Weiterhin wird gezeigt, daß die Vernachlässigung sowohl der Oxiddickenabhängigkeit der Bandverbiegung als auch der durch die Streukapazitäten der Schwingelektrode hervorgerufenen unerwünschten Effekte zu unkorrekten Ergebnissen der Raumladungsverteilung führen können. Die erhaltenen Ergebnisse zeigen, daß die Raumladung des Oxides in feucht oxydierten Si-SiO2-Proben ausgehend von der Grenzfläche einige hundert Angström in das Isolatorvolumen hinein konzentriert ist, während die Oberflächenladungsdichte Qe keine charakteristische Dickenabhängigkeit zeigt.