The effects of implanted oxygen on Nisi formation are studied using MeV 4He+ backscattering spectrometry and the 16O(d, α) 14N nuclear reaction. Ni2Si films on Si 〈100〉substrates are implanted with 2 to 3 × 1016 O/cm2 halfway through the film. Upon annealing, Nisi grows with square root of time in both implanted and unimplanted samples. This disagrees with the linear rate reported by Coe et al. The growth is slightly slower for the unimplanted samples. The slowing is uncorrelated with the amount of oxygen suggesting that a structural change due to ion implantation is the cause. During Nisi formation, oxygen is incorporated into the Nisi film without interfacial accumulation, but the oxygen distribution is seen to move toward the surface. This motion is explained in terms of a simple model based on the chemical affinity of oxygen to Si and Ni and the fact that Ni is the moving species in Nisi growth. The shift in the oxygen peak position during Nisi formation enables the implanted oxygen to act as a diffusion marker, thus confirming Ni as the diffusing species in Nisi formation. The use of implanted oxygen as a diffusion marker in thin film studies is explored briefly. Einflüsse implantierten Sauerstoffs auf die Bildung von Nisi werden mit 4He+ MeV Rückstreuspektrometrie und mit der Kernreaktion 16O(d, α)14N untersucht. Filme von Ni2Si auf Si 〈100〉-Unterlagen werden mit 2 bis 3 × 1016 O/cm2 bis zu einer Tiefe von der halben Schichtdicke implantiert. Implantierte und nicht-implantierte Filme zeigen beim Ausheilen ein Anwachsen von Nisi das quadratisch mit der Zeit verläuft, was dem von Coe et al. angegebenen linearen Wachstum widerspricht. Das Wachstum der implantierten Filme ist etwas verlangsamt und ist mit der Menge des implantierten Sauerstoffs nicht korreliert, was auf strukturelle Änderungen als Ursache hinweist. Während der Nisi-Bildung wird der Sauerstoff ohne Anhäufung an der Zwischenschicht in das Nisi eingebaut. Die Sauerstoffverteilung wird dabei zur Oberfläche hin verschoben. Diese Verlagerung ist mit einem einfachen Modell erklärbar, das auf der chemischen Affinität von Sauerstoff mit Ni und Si und auf der Tatsache beruht, daß es das Ni ist, welches sich beim Wachstum von Nisi bewegt. Die Verlagerung des Sauerstoffprofils während der Bildung von Nisi verleiht dem Sauerstoff die Eigenschaft eines Markers und bestatigt, daß Ni sich in der Bildung von Nisi bewegt. Die Anwendung von implantiertem Sauerstoff als Diffusionsmarker in Dünnfilmstudien wird kurz erläutert.