Amorphous films of Cu0.5Ag0.5 are prepared by vapour-quenching of the alloy onto glass substrates held at 80 K. Resistivity, Hall coefficient, thermoelectric power, their temperature dependence, and annealing kinetics are studied in-situ in the temperature range 80 to 300 K. As-deposited films exhibit high resistivity (≈ 100 μΩ cm), and thermopower (≈ +40 μV/K), and a small mobility (≈ 0·5 cm2/Vs). On annealing above 80 K, the resistivity and thermopower of the films show rapid decrease in two steps starting at ≈ 120 and ≈ 240 K. The Hall coefficient changes slightly only during the second step. The transport properties and their annealing kinetics depend critically on the deposition parameters of films. The temperature coefficient of resistivity is negligibly small up to 160 K, above which it increases gradually to reach a small positive value of 1·8 × 10−3 at 300 K. The thermopower of amorphous as well as crystallised films is independent of temperature. The observed behaviour of transport properties can be qualitatively understood in terms of enhanced scattering of conduction electrons by quenched-in extended defects, or alternatively, in terms of liquid-like scattering with a suitably chosen pseudopotential. Durch Dampfniederschlag der Legierung auf Glassubstrate mit einer auf 80 K gehaltenen Temperatur werden amorphe Cu0.5Ag0.5-Schichten hergestellt. Leitfahigkeit, Hallkoeffizient. Thermospannung, deren Temperaturabhangigkeit und Temperungskinetik werden in-situ im Temperatur bereich von 80 bis 300 K untersucht. Frisch aufgebrachte Schichten zeigen niedrige Leitfahigkeit (≈ 100 μΩcm) und hohe Thermospannung (≈ +40 μV/K) und eine geringe Beweglichkeit (≈ 0,5 cm2/Vs). Nach Temperung oberhalb 80 K nimmt der Widerstand und die Thermospannung sprunghaft in zwei Stufen ab, beginnend bei ≈ 120 und ≈ 240 K. Der Hallkoeffizient andert sich nur wenig wahrend der zweiten Stufe. Die Transporteigenschaften und ihre Temperungskinetik hangen kritisch von den Aufbringungsparametern der Schichten ab. Der Temperaturkoeffizient des Widerstands ist bis zu 160 K vernachlassigbar klein und nimmt oberhalb dieser Temperatur allmahlich zu, wobei er einen geringen positiven Wert von 1,8 × 10−3 bei 300 K erreicht. Die Thermospannung ist sowohl fur amorphe als auch fur kristallisierte Schichten von der Temperatur unabhangig. Das beobachtete Verhalten der Transporteigenschaften last sich qualitativ mit der erhohten Streuung von Leitungselektronen durch ausgedehnte Storstellen, die durch die Temperung entstehen, oder als Alternative, mit einer flussigkeitsahnlichen Streuung bei geeignet gewahltem Pseudopotential erklaren.