p-채널 박막트랜지스터에 이용할 수 있는 p-형 산화구리 박막반도체를 얻기 위한 연구를 하였다. 진공열증착방법으로 산화구리 박막을 성막하였으며, 증착 후 열처리 조건을 조절하여 박막트랜지스터의 활성층에 적용 가능한 특성을 가지는 산화구리 박막반도체를 얻었다. 열처리 전에 <TEX>$10^{22}\;cm^{-3}$</TEX> 수준의 전자 이송자농도를 가지던 n-형 박막이 열처리 조건을 최적화함에 따라 <TEX>$10^{16}\;cm^{-3}$</TEX> 수준의 정공 이송자농도를 가지는 p-형 산화물반도체 박막으로 변화하였다. This study was focused on getting p-type copper-oxide thin-film semiconductors suitable for p-channel thin-film transistors. Vacuum thermal evaporation and thermal annealing were used to get copper-oxide thin-film semiconductor having properties adoptable as an active layer of thin-film transistors. n-type thin films having electron carrier density of about <TEX>$10^{22}\;cm^{-3}$</TEX> before thermal annealing was converted to p-type thin films having hole carrier density of about <TEX>$10^{16}\;cm^{-3}$</TEX> as the thermal annealing conditions were optimized.