The general context of the magnetodiode effect is analysed according to an original theory. This effect is the superposition of the magnetoconcentration effect and of double injection phenomena: the electrons and holes injected by the end contacts are submitted to a magnetic deflection towards the same surface of the semiconductor, where the recombination process is responsible for the carrier density modulation; the resulting transverse carrier gradient directly influences the current magnitude. The behaviour of semiconductor plates provided with one or two injecting contacts is studied with the same twodimensional formalism. The successive steady-state reg imesof the magnetodiode teffect are analysed for various parameters: external fields, bulk and surface recombination mechanisms, doping, and dimensions. It is shown that the classical current—voltage laws of the semiconductor and insulator regimes are subjected to considerable qualitative and quantitative modifications owing to both, the Lorentz forces and the recombination velocities. These parameters can be included in a carrier effective lifetime, the value of which is governed, for low inductions, by the longitudinal drift current and, for high inductions, by the transverse diffusion current. One of the main motivations of this work is to show that the p+nn+ magnetodiodes are ultrasensitive devices; hen the appropriate conditions allowing their optimum operating will be carefully defined. Nous proposons une theorie generale de l'effet magnetodiode, qui represente la superposition de l'effet de magnetoconcentration aux phenomenes de double injection: lee electrons et les trous injectes par les contacts sont soumis e une deflection magnetique vers la měme surface du semiconducteur, ou le taux d'accumulation depend des processus de recombinaison; le gradient transversal de porteurs qui en resulte agit fortement sur la conduction electrique. Un formalisme bidimensionnel nous permet de decrire le comportement des structures a un ou deux contacts injectants. Les differents reimes permanents de l'effet magnetodiode sont analyses pour plusieurs parametres: champs exterieurs, recombinaisons en volume et sur les surfaces, dopage et dimensions. Nous montrons que les lois courant-tension classiques des regimes semiconducteur et isolant sont notablement modifiees par les forces de Lorentz et par les vitesses de recombinaison. Ces parametres sont inch dans une duree de vie effective des porhurs, dont la valeur est gouvernee, a faible induction magnetique, par les courants longitudinaux de derive et, a forte induction, par les courants transversaux de diffusion. Ce travail etant egalement motive par les tres hautes sensibilites des magnetodiodes p+nn+, nous definirons soigneusement les conditions optimales de fonctionnement.