Abstract
It is experimentally established, that density of oxidation-induced stacking faults (OISF) in the boron doped monocrystalline silicon plates, that above, than it is more relation of oxygen atoms concentration to carbon atoms concentration in them. On research results of geometry of OISF rings in the different sections of single-crystal geometry of areas is reconstructed with their different closeness. At adjustment of the growing modes of single-crystals of silicon the increase of output of suitable product is observed
Highlights
It is experimentally established, that density of oxidation-induced stacking faults (OISF) in the boron doped monocrystalline silicon plates, that above, than it is more relation of oxygen atoms concentration to carbon atoms concentration in them
On research results of geometry of OISF rings in the different sections of singlecrystal geometry of areas is reconstructed with their different closeness
З метою отримання даних про можливу інтенсифікацію теплообміну шляхом використання лунок, в НТУУ "КПІ" проведені експериментальні дослідження конвективного теплообміну і аеродинамічного опору шахових пакетів плоскоовальних труб з циліндричними лунками і без них
Summary
Экспериментально установлено, что плотность окислительных дефектов упаковки (ОДУ) в монокристаллических пластинах кремния, легированных бором, тем выше, чем больше отношение концентрации атомов кислорода к концентрации атомов углерода в них. При корректировке режимов выращивания монокристаллов кремния достигается повышение выхода годного продукта Ключевые слова: кремний, монокристалл, кислород, углерод, окислительный дефект упаковки, расплав, нагреватель, метод Чохральского, микродефекты. It is experimentally established, that density of oxidation-induced stacking faults (OISF) in the boron doped monocrystalline silicon plates, that above, than it is more relation of oxygen atoms concentration to carbon atoms concentration in them. 3. Цель настоящей работы Исследование влияния фоновых примесей кислорода и углерода на образование микродефектов, служащих зародышами окислительных дефектов упаковки, в ходе роста монокристаллов кремния в условиях промышленного их производства. Во всех случаях при подсчете учитывались только те ОДУ, которые в процессе окисления кремния образовались на внутренних микродефектах в монокристалле, то есть не связаны с механическими повреждениями поверхности шайбы. В монокристаллах No 1, No 3, No 5, выращенных из первичной загрузки, кольца ОДУ отсуствуют уже на расстоянии от верхнего сечения 30...40 мм., а в монокристаллах No 2, No 4, No 6, выращенных после дозагрузки – на расстоянии от верхнего сечения 75...95 мм (рис. 2)
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
