Lutetium metal and several Lu(H) solid solutions are irradiated with electrons in the energy range 0·4 to 1·7 MeV at liquid-helium temperatures. The threshold energy for the displacement of a Lu atom is determined to Td = (17 ± 1) eV, corresponding to an incident electron energy of Ed = (780 ± 30) keV. Displacement cross sections are fitted to the experimental data, with ϱ ≈︁ (60 to 90) μΩ cm/at% F.P. as Frenkel-pair resistivity. The defect production rates at 0·4 MeV of Lu(H) depend on the H-concentration in the α-phase. From their fluence dependence, the concentration dependent defect formation cross sections, σH = (2.35 to 4.18) × 106 barns, are deduced and the defect resistivities, ΔϱH = (36 to 41) μΩ cm/atom H. A comparison with calculated electron-hydrogen scattering cross sections permits to determine a threshold energy for the H-defect formation, TH = (0.06 to 0·09) eV, which, consequently, also varies with the H-concentration. A possible model assuming a paired hydrogen configuration as the stable low-resistivity form at low temperatures is suggested. Le lutetium métal et plusiers solutions solides Lu(H) ont été irradiés par des électrons d'énergie comprise entre 0,4 et 1,7 MeV à la température de l'hélium liquide. L'énergie seuil de déplacement d'un atome Lu est déterminée, cette valeur Td = (17 ± 1) eV correspondant à l'énergie d'électrons incidents Ed = (780 ± 30) keV. Les sections efficaces de déplacement calculées ont été comparées aux données expérimentales en prenant ϱF ≈︁ (60 à 90) × 10−4 Ω cm/F.P. pour la résistivité d'une paire de Frenkel. A 0,4 MeV, les taux de production de défauts dans Lu(H) varient avec la concentration de H dans la phase α. De leur diminution en fonction du flux électronique on déduit des sections efficaces de formation de défauts, σH = (2,35 à 4,18) × 106 barns, et des résistivités de défauts, δϱH = (36 à 41) μΩ cm/atome H, variant avec la concentration. La comparaison avec les sections efficaces d'intéraction électron-hydrogène calculées permet de déterminer l'énergie seuil pour la création de défaut H, TH = (0,06 à 0,09) eV, qui varie done aussi avec la concentration de H. On envisage un modèle où la configuration des atomes H en paires est supposée la forme stable et peu résistante à basse température.
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