Abstract

У статті показано можливість створення на основі тонких напівпровідникових резонаторів частотно-селективних пристроїв НВЧ з електронним керуванням. Доведено, що як тонкий напівпровідниковий резонатор можна використовувати p-i-n діод з певним відношенням товщини до поперечних розмірів. Описано методику й наведено результати теоретичних та експериментальних досліджень безкорпусних p-i-n діодів. Бібл. 12, рис. 5, табл. 1.

Full Text

Published Version (Free)

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.