Thermally and carrier induced changes in the photoconductivity in a-Si in the subnanosecond time domain

Abstract

Analyse de la photoconductivite de couches minces amorphes appliquee a la commutation rapide a l'aide d'un faisceau laser elevant la temperature au voisinage du seuil d'endommagement. Rendement de commutation (variation relative de tension). Description theorique. Les processus de relaxation des porteurs de charge ne peuvent etre etudies qu'a faible excitation. Au-dessus du seuil les effets des porteurs et de la temperature se superposent. A forte excitation, on obtient un rendement de commutation eleve et on pourrait fabriquer une commutation optoelectronique d'origine thermique a temps de reponse de l'ordre de la picoseconde