Abstract
3rd group element nitride based semiconductor compounds are widely used in various optical and electronic devices. One problem in the fabrication of GaN based device heterostructures is the synthesis of p conductivity epitaxial layers. Magnesium is a typical doping impurity for GaN. The choice of optimum doping and thermal activation conditions is of utmost importance for the synthesis of low-Ohmic p-GaN epitaxial layers.The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been investigated. Hole concentration increased and mobility decreased with an increase in thermal annealing temperature. The sample annealed at 1000°C demonstrated the lowest value of resistivity. Rapid thermal annealing (annealing with high heating speed) considerably improved the efficiency of Mg activation in the GaN layers. The optimum time of annealing at 1000°C has been determined. The hole concentration increased by up to 4 times compared to specimens after conventional annealing.
Highlights
Полупроводниковые соединения на основе нитридов элементов III группы активно используют в различных оптических и электронных приборах [1]
Activation of acceptors in Mg−doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
Представлены результаты моделирования фотоэлектрических преобразователей в системе со спектральным расщеплением
Summary
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg. Исследовано влияние условий термического отжига эпитаксиальных слоев GaN : Mg на активацию атомов акцепторной примеси. Быстрый термический отжиг (отжиг с высокой скоростью нагрева) позволяет существенно повысить эффективность процесса активации атомов магния в эпитаксиальных слоях GaN. Одной из проблем при создании гетероструктур приборного назначения на основе GaN является получение эпитаксиальных слоев (ЭС) p−типа проводимости, поскольку традиционное для полупроводников AIIIBV легирование акцепторными примесями (Zn, Cd) не дает ожидаемого результата. При этом для эффективной работы многих приборных структур необходимо получение высоких концентраций свободных носителей заряда в слоях p−GaN. Вследствие этого для получения низкого значения удельного электрического сопротивления слоев p−GaN необходимо обеспечить высокую концентрацию атомов магния в ЭС. Цель работы — исследование влияния условий термического отжига ЭС GaN: Mg на активацию атомов акцепторной примеси
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
