Abstract
In range of 10.6 μm IR radiation an analysis of noncooled (T = 300 K) (PC) photodiodes and (EMCD) magnetoexlusion detectors with (Hg,Cd)Te was made. The basic detection parameters of these devices are limited by the noise resulting from statistical processes of thermal generation and carrier recombination. The parameter evaluation of related photodiodes demonstrates that the optimal parameters such as: thickness or structure doping on the substrate with a widened energy gap differs each other for structures with ohmic contacts at both ends. In the paper, for photodiodes and magnetoexclusion detectors with (Hg,Cd)Te the research results : optimal photosensitive detection parameters are presented for the room temperature (T=300 K) and acceptable large as well as small (5 and 0.5 W / mm2) densities of the dissipated power.
Highlights
W artykule dokonano analizy niechłodzonych (T=300K) fotodiod (PC) i detektorów magnetoekskluzyjnch (EMCD) promieniowania 10,6 μm
Wysokie parametry w detekcji promieniowania 10,6 μm osiąga się w temperaturach poniżej 200 K. W temperaturze zbliżonej do temperatury
Tadeusz Niedziela – Uniwersytet TechnicznoHumanistyczny w Radomiu, Wydział Transportu i Elektrotechniki, Zakład Elektrotechniki i Energetyki
Summary
Ustalono optymalne parametry detekcyjne elementów dla fotodiod i detektorów magnetoekskluzyjnych z (Hg,Cd)Te pracujących w temperaturze pokojowej. Wstęp Najwyższe parametry detekcyjne detektorów fotonowych uzyskuje się chłodząc elementy półprzewodnikowe [1,2,3,4]. Stąd ważnym jest podniesienie temperatury pracy detektorów przy zachowaniu ich wysokich parametrów detekcyjnych. Głównym ograniczeniem parametrów tego typu detektorów w temperaturach zbliżonych do temperatury pokojowej jest szum wywołany procesami generacyjnorekombinacyjnymi Augera. Najwyższe parametry detekcyjne typowych fotodiod z Hg1xCdxTe zakresu średniej i dalekiej podczerwieni osiągane są w temperaturze ciekłego azotu. W temperaturze zbliżonej do temperatury pokojowej wartość rezystancji złącza n+-p jest bardzo mała, a często nawet niższa od rezystancji pasożytniczej. Celem niniejszej pracy jest określenie optymalnych konstrukcji elementów fotoczułych dla niechłodzonych (T=300K) fotodiod typu n+-p z (Hg,Cd)Te i detektorów magnetoekskluzyjnych promieniowania 10,6 μm. Podstawowe parametry detekcyjne fotodiod można analizować korzystając z dwóch równań transportu nośników prądu [ 5, 14-17]: Jh
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
