Abstract
The crystal-quasichemical formulas were proposed in paper. There were obtain the dominant point defects of Pb1-xCdxТе solid solutions on the base of initial binary solutions PbТе and CdTe of the n- and р-type of conductivity. The dependence of defect concentrations, such as charge carriers and Hall’s concentration due composition of solid solutions were calculated.
Highlights
Запропоновано кристалоквазіхімічні формули, визначено домінуючі точкові дефекти твердих розчинів Pb1-xCdxТе на основі вихідних бінарних сполук PbТе і CdTe n- та р-типу провідності Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв струму та холлівської концентрації від складу твердих розчинів.
Розчинність CdTe у PbTe при 523, 903, 993 і 1073 К дорівнює 3, 4,6, 10 та 17 мол.
Граничний вміст кадмію в твердих розчинах Pb1xCdxTe (тобто його розчинність при 670 °С в PbTe) відповідає х = 0,08
Summary
Запропоновано кристалоквазіхімічні формули, визначено домінуючі точкові дефекти твердих розчинів Pb1-xCdxТе на основі вихідних бінарних сполук PbТе і CdTe n- та р-типу провідності Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв струму та холлівської концентрації від складу твердих розчинів. Розчинність CdTe у PbTe при 523, 903, 993 і 1073 К дорівнює 3, 4,6, 10 та 17 мол. Граничний вміст кадмію в твердих розчинах Pb1xCdxTe (тобто його розчинність при 670 °С в PbTe) відповідає х = 0,08
Sign-in/Register to view highlights & summary 
Published Version (
Free)
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call