Abstract
Dans ce travail, nous avons calcule par les methodes de fonctionnelle de la densite, les geometries d'equilibre, les moments dipolaires et les frequences vibrationnelles des plus bas etats electroniques des cations silico carbones a quatre atomes, correspondant aux conformations geometriques les plus probables. Pour C 4 + , les geometries lineaire et cyclique sont quasi degenerees. SiC 3 + et Si 4 + possedent une structure cyclique dans leur etat fondamental, Si 2 C 2 + est lineaire, tandis que Si 3 C + possede une structure T symetrique avec un atome central de carbone. L'analyse comparative de la repartition de la charge atomique pour les clusters a trois et quatre atomes fournit un schema coherent qui permet de comprendre la structure geometrique des etats fondamentaux. Enfin, nous presentons quelques regles generales concernant la reactivite des atomes de silicium.
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