Abstract
با (TMDC) لایه هاي دوبعدي ديکالکوجنایدهاي فلزات واسطه گافهاي نواري مستقیم، افق جدیدي در کاربري این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواري باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه ها در دستگاههاي فوتوولتاییک میشود. قرارگیري این لایه ها روي زیرلایه به علت بازتابهاي متوالی، بر طیف جذب اثر و یا ترکیب آنها به عنوان Si یا SiO میگذارد. به طور متداول، از 2 زیرلایه براي این تک لایه ها استفاده میشود. در این مقاله با استفاده از شامل TMDC روش ماتریس انتقال، طیف جذب تک لایههاي و یا Si یا SiO با حضور زیرلایۀ 2 WS و 2 MoS2،WSe2 ،MoSe2 بررسی شد. SiO با ضخامتهاي مختلف لایۀ 2 SiO2/Si دوتایی در زیرلایۀ دوتایی به عنوان ضخامت SiO ضخامت 90 نانومتر لایۀ 2 بهینه انتخاب شد؛ چرا که روند کلی جذب را تغییر نمیدهد و باعث افزایش جذب در بعضی نواحی طول موجی میشود.
Published Version
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callSimilar Papers
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
