고집적 TMR소자의 프리층에 적용될 수 있는 인위적페리층(synthetic ferrimagnetic layer : SyFL)인 NiFe/Ru/NiFe박막을 만들고, 결정에너지, 지만에너지, 교환에너지를 고려한 총에너지로부터 평형상태에서의 관계식에서 Ru두께에 따른 보자력( <TEX>$H_{c}$</TEX>)변화와, 스핀플로핑자계( <TEX>$H_{sf}$</TEX> ), 포화자계( <TEX>$H_{s}$</TEX>)에 대해 알아보았다. Ta(50<TEX>$\AA$</TEX>)/NiFe(50<TEX>$\AA$</TEX>)Ru(4~20<TEX>$\AA$</TEX>)/NiFe(30<TEX>$\AA$</TEX>)/Ta(50<TEX>$\AA$</TEX>) 구조를 ICP (inductively coupled plasma)형 헬리콘스퍼터로 제작하고, 주어진 Ru두께에서의 시편을 SQUID로 <TEX>$\pm$</TEX>15kOe까지 분석하여 M-H루프를 측정하였다. 에너지를 고려한 평형상태 예측은 실험과 잘 일치하였으며, 이방성에너지 <TEX>$K_{u}$</TEX>= 1000erg/㎤, 교환에너지 <TEX>$J_{ex}$</TEX>= 0.7erg/<TEX>$\textrm{cm}^2$</TEX>까지 조절이 가능하였다. 상온에서 <TEX>$H_{c}$</TEX>를 10 Oe이하로 만드는 것이 가능하였고, 공업적으로 의미있는 <TEX>$H_{s}$</TEX>, <TEX>$H_{sf}$</TEX> 의 범위를 Ru두께 4~10 <TEX>$\AA$</TEX>에서 선택이 가능하였다. 또한 50 <TEX>$\AA$</TEX>이하의 얇은 NiFe박막에서 자기탄성계수는 0이 아닌 (+)로 작용할 수 있다는 점과 NiFe/Ru 계면 조도를 간접적으로 예상하는 것이 가능하였다. Synthetic ferrimagnetic layer (SyFL) with structure NiFe/Ru/NiFe which can be applied high density TMR device in free layer were prepared by an inductively coupled plasma (ICP) helicon-sputter. We proposed a model of predicting coercivity (H<TEX>$\_$</TEX>c/), spin-flopping field (H<TEX>$\_$</TEX>sf/), and saturation field (H<TEX>$\_$</TEX>s/) as a function of Ru thicknesses, from the equilibrium state of energies of Zeeman, exchange, and uniaxial anisotropy. We fabricated the samples of Ta(50 <TEX>${\AA}$</TEX>)/NiFe(50<TEX>${\AA}$</TEX>)nu(4∼20<TEX>${\AA}$</TEX>)NiFe(30 <TEX>${\AA}$</TEX>)/Ta(50<TEX>${\AA}$</TEX>), and measured the M-H loops with a superconduction quantum interference device (SQUID) applying the external field up to <TEX>${\pm}$</TEX> 15 kOe. The result was well agreed with the proposed model, and reveal K<TEX>$\_$</TEX>u = 1000 erg/㎤, J<TEX>$\_$</TEX>ex/ =0.7 erg/<TEX>$\textrm{cm}^2$</TEX>. We report that H<TEX>$\_$</TEX>c/ below 10 Oe is available, and R<TEX>$\_$</TEX>u/ thickness range should be in 4-10 <TEX>${\AA}$</TEX> for MRAM application. Our result implies that permalloy layers may lead to considerable magnetostriction effect in SyFL and intermixing in NiFe/Ru interfaces.