The concentration of substitutional gold atoms NAUS' transformed by the kick-out mechanism as gold diffusion proceeds in silicon, is measured as a function of the dislocation density introduced by different deformation procedures in FZ and Cz silicon. Two domains of dislocation density ND 107 cm−2 in which NAUS was found to be independent of ND and an intermediate domain in which NAUS varied as ND1/2 are observed in agreement with the theory. However, a relatively wide transient zone between the ND1/2 law and the constant value above 107 cm−2 exists. Transmission electron microscopy observations show that, at least for low cooling rates, the dislocations are actually sinks for self-interstitials. In (111) FZ silicon deformed at 700 °C higher values of the dislocation sink efficiency (0.7 < γ < 0.8) than in (100) FZ silicon deformed at 1000 °C (0.3 < γ < 0.4) are found, i.e. γ is sensitive to the type of dislocation concerned. In Cz silicon very low values of 7 (0.03) are obtained which may be enhanced up to 0.3 to 0.4 by a 1150 °C anneal. La quantite d'atomes d'or substitutionnels NAUS transformes au cours de la reaction de “kick-out” est mesuree en fonction de la densite de dislocations introduites par differents procedes de deformations dans le silicium FZ et Cz. On obtient deux domaines ND 107 cm−2 ou NAUS ne depend pas de la densite de dislocations et un domaine intermediaire ou NAUS varie suivant une loi en ND1/2 conformement a la theorie. Cependant, on observe la presence d'une zone transitoire entre cette loi en ND1/2 et la valeur constante au-dela de 107 cm−2. Des observations par microscopie electronique en transmission montrent, au moins pour de faibles vitesses de refroidissement, que les dislocations jouent bien le rǒle de puits d'auto-interstitiels. Dans le silicum FZ (111) deforme a 700 °C on trouve des valeurs de l'efficacite de piege des dislocations plus elevees (0,7 < γ < 0,8) que dans le FZ (100) deforme a 1000 °C (0,3 < γ < 0,4), cela montre que ce parametre est sensible au type de dislocation concerne. Dans le silicium Cz on obtient des valeurs de γ tres faibles (0,03) mais γ augmente si on fait subir au materiau un pre-recuit a 1150 °C.