Nitride Research Articles

Fracture Energy and Tensile strength of Silicon Nitride at High Temperatures

On a utilise des eprouvettes entaillees en chevron pour mesurer le travail de rupture a haute temperature de Si 3 N 4 presse a chaud. On examine l'influence de la vitesse de deplacement sur l'energie effective de rupture. La contrainte de pontage a l'interface des fissures est evaluee a partir de l'increment de resistance a la rupture en fonction de l'extension de la fissure, et elle est comparee a la resistance a la traction

Joining of silicon nitride ceramics under nitrogen gas pressure

On a assemble des ceramiques de Si 3 N 4 par application d'une pression uniaxiale de 30 kPa sous une pression gazeuse d'azote de 10 atm, les echantillons etant contenus dans un lit de poudres de Si 3 N 4 , Y 2 O 3 et Al 2 O 3 , dans les memes proportions que les echantillons, avec addition de 50% en poids de BN. On a utilise une feuille de polyethylene comme agent de liaison. La pression d'azote et le lit de poudre permettent de supprimer la decomposition de Si 3 N 4 aux temperatures imposees

Precipitation of niobium nitrides in a high nitrogen HSLA steel

Analyse de la precipitation des nitrures de niobium cuboidaux ou des carbonitrures lors du moulage des billettes et lors de la fabrication de barres par laminage. Determination de la distribution de la taille des particules. Une fraction de Nb reste dans la solution solide des billettes car de petits precipites coherents sont observes dans les grains de ferrite dans les barres laminees. Ces precipites ont une structure hexagonale

Formation of hydrogenated nitride, NHx(a), species by hydrogenation of c(2 .times. 2)-nitrogen on palladium(100)

Detection, par spectroscopie de perte d'energie des electrons haute resolution, d'intermediaires NH x pendant l'hydrogenation de N(a) sur Pd(100)

Thermal Vibrations in Vanadium Nitride Studied by X-Ray Diffraction

Etude par diffraction de rayons-X de la dependance en temperature des intensites des reflexions 331, 420 et 422 dans l'intervalle de temperatures 293 a 773 K. Le deplacement des pics de diffraction avec la montee en temperature est pris en compte en utilisant les donnees relatives a l'expansion thermique. Dependance thermique de la temperature de Debye et des intensites diffractees

Oxidation behaviour of nitrided iron-silicon alloys

Examen de la possibilite d'ameliorer la resistance a l'oxydation des alliages fer-silicium par un traitement de nitruration approprie

Formation of Silicon Nitride Whiskers from Rice Hulls [Translated]<sup>†</sup>

Formation of Silicon Nitride Whiskers from Rice Hulls [Translated]<sup>†</sup>

Paramagnetic defects in boron nitride

F. A. Rozhdestvenskii, M. G. Zuev, and A. A. Fotiev, Trivalent-Metal Tantalates [in Russian], Moscow (1986). Radiology, 157, No. 2, 54A-55A (1985). L. H. Brixner and H.-Y. Chen, J. Electrochem. Soc., 130, No. 12, 2435-2443 (1983). A. A. Khaav, K. E. Khaller, N. Yu. Tekhver, and L. A. Rebane, Fiz. Tverd. Tela, 26, No. ii, 3280-3289 (1984). L. A. Rebane, G. E. Blumberg, and T. A. Fimberg, Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz., 44, No. 7, 339-342 (1986). L. A. Gribov, V. I. Baranova, and B. K. Novosadov, Methods for Calculation of the Electron-Vibrational (Vibronic) Spectra of Polyatomic Molecules [in Russian], Moscow (1984).

Influence of high pressure on cathodoluminescence of cubic boron nitride

It is shown that the pressure treatment of boron nitride (BNsph) polycrystals at room temperature results in the change of broad band parameters (A, B, C) and zero-phonon lines of cathodoluminescent (CL) spectra, and in the appearance of RC centers. In the pressure treated ceramic samples BNsph the PC-1 (2.84 eV), PC-2 (2.325 eV), PC-3 (1.79 eV) centers of presumably interstitial nature are found. The comparative analysis of the dependence of the broad bands parameters and zero-phonon lines of the GC centers in the CL spectra of boron nitride on pressure makes it possible to connect the appearance of the A and B bands in the energy range 1.85 to 3.25 eV with electronic states in the band gap due to multi vacancy complexes based on boron and nitrogen vacancies, respectively, while the appearance of the C band (1.55 to 1.85 eV) with the plastic deformation of BNsph. Es wird gezeigt, das eine Druckbehandlung von Bornitrid (BNSph)-Polykristallen bei Zimmertemperatur zu einer Anderung der Parameter der breiten Banden (A, B, C) und der Null-Phononenlinien der Kathodolumineszenz (CL)-Spektren und dem Auftreten von RC-Zentren fuhrt. In den druckbehandelten keramischen BNSph-Proben werden PC-1 (2,84 eV)-, PC-2 (2,325 eV)- und PC-3 (1,79 eV)-Zentren mit wahrscheinlich Zwischengitternatur gefunden. Die vergleichende Analyse der Druckabhangigkeit der Parameter der breiten Banden und der Null-Phononenlinien der GC-Zentren im CL-Spektrum von Bornitrid ermoglicht, das Auftreten der A- und B-Banden im Energiebereich 1,85 bis 3,25 eV mit elektronischen Zustanden in der Bandlucke infolge Mehrfach-Vakanzenkomplexe auf der Basis von Bor- bzw. Stickstoff-Leerstellen zu verknupfen, wahrend das Auftreten der C-Bande (1,55 bis 1,85 eV) mit der plastischen Deformation von BNSph verbunden ist.

Effect of nitriding on the surface structure of titanium

Etude de l'effet de la croissance de la couche nitruree et des transformations de phase Tiα⇔Tiβ apparaissant au cours du chauffage et du refroidissement de l'echantillon sur la structure superficielle issue de la nitruration du titane a 1030°C sous azote pur

Joining of Silicon Nitride to Molybdenum under High Pressure

Du nitrure de silicium fritte a ete assemble avec du molybdene a l'aide d'intercouches metalliques par pressage chaud et pressage isostatique chaud. On etudie la structure et la resistance interfaciales, les contraintes residuelles, la resistance a la chaleur

Fracture toughness and acoustic emission in silicon nitride

On etudie la microstructure et la tenacite de Si 3 N 4 fritte au moyen de la microscopie electronique a balayage, de l'emission acoustique et d'un essai de compression diametrale

Cavitation erosion of a nitrided steel in salt water and emulsion

Etude experimentale de l'erosion d'un acier allie dans l'eau distille, dans l'eau contenant 1% NaCl et dans 5% d'emulsion contenant 10% Na−Cl. Le progres de l'erosion est suivi par perte de poids. Analyse de la surface endommagee par microscopie electronique a balayage

Plasma-assisted reactive evaporation of aluminium nitride films

Aluminium nitride films are deposited onto GaAs substrates by plasma assisted reactive evaporation under simultaneous low energy electron bombardement (80 eV). The plasma is generated by a de discharge in nitrogen using a hot cathode. The films exhibit stoichiometric AIN at deposition rates below 5 nm/min in the temperature range from 50 to 425 °C. The resistivity of the unannealed films is 1013 Ω cm, the breakdown field strength up to 5 × 106 V/cm. The charge carrier transport in the high field region takes place via Poole-Frenkel emission. Aluminiumnitridschichten werden auf GaAs-Substrate mittels plasmaunterstutzten, reaktiven Niederschlags bei gleichzeitigem Elektronenbeschus mit niedriger Energie (80 eV) hergestellt. Das Plasma wird durch eine Gleichspannungsentladung in Stickstoff mit heiser Kathode hergestellt. Die Schichten ergeben bei Niederschlagsraten unterhalb 5 nm/min im Temperaturbereich von 50 bis 425 °C stochiometrisches AlN. Der Widerstand der ungetemperten Schichten betragt 1013 Ω cm, die Durchbruchsfeldstarke bis zu 5 × 106 V/cm. Der Ladungstragertransport im Hochfeldbereich erfolgt uber Poole-Frenkel-Emission.

Hopping Conduction and Defect States in Reactively Sputtered Silicon Nitride Thin Films

Silicon nitride films are deposited by reactive rf sputtering from a silicon target. Measurements of the electrical conductivity of films are performed between LNT and 400 K. Charge transport characteristics are discussed in terms of thermally activated bandtail and hopping conduction mechanisms with regard to existing models. Defect densities in the midgap of amorphous, hydrogen-free nitride films are determined to be of the order of 1020 cm−3. Siliziumnitrid-Schichten werden durch reaktives HF-Aufstauben hergestellt. Die elektrische Leitfahigkeit der Schichten wird zwischen LNT und 400 K gemessen. Die Ergebnisse werden anhand existierender Modellvorstellungen als thermisch aktivierte Bandtail- bzw. Hopping-Mechanismen gedeutet. Defektdichten in intrinsischem Siliziumnitrid in der Grosenordnung von 1020 cm−3 konnten bestimmt werden.

Nitrides transformation in an AISI type 410 stainless steel treated at different temperatures and their characterization by Auger spectroscopy

Etude des precipites dans l'acier AISI 410 ou des phenomenes de fragilisation apparaissent lors des deformations a chaud

Cathodoluminescence of electron irradiated cubic boron nitride

Les centres d'emission optique actifs dans les monocristaux et polycristaux de BN-β sont etudies par cathodoluminescence

Effect of the conditions of milling silicon nitride powder on the properties of the thermoplastic slips

On etudie la dispersion d'une poudre de Si 3 N 4 par diverses methodes (a sec, dans CCl 4 et dans un liant thermoplastique fondu). Il apparait que le broyage de la phase solide dans un liant fondu (melange de paraffine, de cire et d'additifs) est une methode prometteuse, assurant une viscosite minimale et une agglomeration maximale des particules dans la barbotine

Grain Boundary Analysis of Silicon Nitrides by 400 kV Analytical Electron Microscopy

Etude de la microstructure et de la composition chimique de la phase de joint de grain de nitrures de silicium contenant 9% en poids de Y 2 O 3

Wear of hot-pressed aluminum nitride

窒化アルミニウム焼結体を1700°-2000℃の温度範囲でホットプレス法により作製した. その摩擦摩耗特性をピンオンディスク法で測定し, また摩耗の摺動速度依存性をサバン式試験法により調べた.焼結体の特性としては, ホットプレス温度1700℃では気孔が多く, 破壊靱性, ビッカース硬度はかなり低かった. 1800℃以上ではほぼ一定値に達するが, ホットプレス温度とともに粒子成長が激しくなっている.ピンオンディスク法により測定されたSiCディスクに対する摩擦係数, 比摩耗量はホットプレス温度とともに上昇した. マイルドな摺動条件では微小な結晶粒子よりなる摩耗粉が固体潤滑作用を示すのではないかと考えられる.サバン式試験法によれば各焼結体の比摩耗量はある摺動速度より急速に増加し, 明確なピークを示す. このピークの高さはホットプレス温度とともに低下する. 高速での摩耗は連続的な微小破壊によると考えられ, それゆえ, 破壊靱性やビッカース硬度の高い焼結体ほど摩耗しにくいと考えられる.