The de I–U characteristics and the switching properties of some semiconducting glassy alloys in the AsSeTe ternary system are studied. The relationship between I at t = 0 and U is the one that corresponds to a space-charge limited current flow with a single carrier and a uniform trap distribution. Ohmic resistance is related to temperature by the known Arrhenius equation, characteristic of intrinsic semiconductors. The functional dependence between delay time and applied voltage, and between threshold voltage and temperature, are explained by a switching model of a basically thermal nature. Finally, the memory phenomenon found is analyzed. Die I–U-Gleichspannungscharakteristiken und die Schalteigenschaften einiger halbleitender Glaslegierungen des ternaren Systems AsSeTe werden untersucht. Die Beziehung zwischen I bei t = 0 und U stimmt mit dem raumladungsbegrenzten Stromflus mit einem einzelnen Ladungstrager und einer gleichformigen Trapverteilung uberein. Der ohmsche Widerstand ist mit der Temperatur durch die bekannte Arrheniusgleichung verknupft, charakteristisch fur Intrinsic Halbleiter. Die funktioneile Abhangigkeit zwischen Verzogerungszeit und angelegter Spannung, und zwischen Schwellspannung und Temperatur werden mit einem Schaltmodell, das auf thermische Wirkung beruht, erklart. Schlieslich wird das gefundene Speicherphanomen analysiert.