Abstract
二氧化硅是一种常见且非常重要的介电材料, 但是其传统的制备方法例如物理气相沉积, 化学气相沉积等无法适应大规模生产以及有机电子工业. 本论文介绍了一种简单的制备二氧化硅超薄膜的方法, 即利用紫外光辐照全氢聚硅氮烷, 使其转化为二氧化硅. 这种方法所制备的二氧化硅超薄膜具有超平的表面以及非常低的漏电. 此外, 我们还将该二氧化硅超薄膜应用于有机晶体管和反相器电路中, 这些器件均表现出良好的电学性能. 这些结果表明该方法制备的二氧化硅超薄膜具有很好的实际应用前景.
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