The method of integral characteristics in X-ray diffraction studies of the structure of the surface layers of single crystals

Abstract

A further development is presented of the integral-characteristics method which is suggested in an earlier work for investigating the damage localized in surface layers of single crystals by X-ray diffraction technique. In the case of ion implantation with a small irradiation dose a generalization of the model for a disturbed layer is suggested which assumes the flux density of incident particles to be insufficient for damaging all the crystal surface. Recommendations for the practical application of the method are also given. The method is used to study a disturbed layer structure of silicon single crystals irradiated with ions of argon, phosphorus, and boron. Die Integral-Charakteristik-Methode, die in einer fruheren Arbeit zur Untersuchung des in der Oberflachenschicht eines Einkristalls lokalisierten Damage mittels Rontgenbeugungstechnik vorgeschlagen wurde, wird weiter entwickelt. Fur den Fall von Ionenimplantation mit geringer Bestrahlungsdosis wird eine Verallgemeinerung des Modells fur eine gestorte Schicht vorgeschlagen, die annimmt, das die Flusdichte der eindringenden Teilchen nicht fur eine Schadigung der gesamten Kristalloberflache ausreicht. Empfehlungen fur die praktische Anwendung der Methode werden ebenfalls gegeben. Die Methode wird zur Untersuchung der gestorten Schichtstruktur von Siliziumkristallen benutzt, die mit Argon- Phosphor- und Borionen bestrahlt wurden.