Abstract
It is analyzed the optical properties of semiconductors due to the fact that the research of nonlinear optical effects in semiconductors is increased an interest, both in terms of basic science as well as in terms of the huge prospects for practical use of research results in the creation of new quantum electronics devices. As a result of this analysis it was found the major dependence of refraction, absorption and reflection from radiation wavelength. The dependence between the intensity of the incident beam and the intensity of output (such reflected or passing through a semiconductor) beam with consideration of absorption (reflection) of the material is determined. In results of absorption coefficient study of the material on free charge carriers it is appeared that it depends not only on the wavelength and refractive index, but also on factors such as the electron density and mobility of charge carriers.
Highlights
У статті представлений аналіз складу і властивостей різних дисперсно-зміцнених композиційних матеріалів на основі алюмінію, що застосовуються при виробництві аерокосмічної техніки
Якщо при непрямозонному переході одночасно із квантом світла поглинається фонон, то енергія поглиненого світлового кванта може бути менше на величину енергії фонона, що приводить до поглинання на частотах трохи нижче по енергії від фундаментального краю поглинання
З формул (13) та (14) видно, що знаючи інтенсивність падаючого пучка і коефіцієнт поглинання (відбиття) матеріалу, можна визначити інтенсивність вихідного (відбитого або такого, що пройшов через напівпровідник) пучка
Summary
У статті представлений аналіз складу і властивостей різних дисперсно-зміцнених композиційних матеріалів на основі алюмінію, що застосовуються при виробництві аерокосмічної техніки. В резуль таті теоретичного аналізу було виявлено основні залежності показників заломлення, поглинання та відбиття від довжини хвилі випромінювання. — проаналізувати оптичні властивості напівпровідникових матеріалів; — виявити основні залежності показників заломлення, поглинання та відбиття від довжини хвилі випромінювання; — встановити залежність між інтенсивністю падаючого пучка та інтенсивністю вихідного (відбитого або такого, що пройшов через напівпровідник) пучка з урахуванням коефіцієнту поглинання (відбиття) матеріалу.
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
