Abstract
The wavelength dependence and the absolute values of the photo-ionization cross sections for deep lying impurity levels in GaP are investigated. The measurements are performed on alloyed, copper and oxygen doped GaP diodes. The phenomena studied are on one hand the ir-induced restoration of an optical charge exchange and on the other, the short circuit current and the enhancing or quenching of this current caused by simultaneous ir-illumination. The complete two-level system is resolved and photo-ionization cross sections are given in the range 0.6 to 2.1 eV. Die Wellenlangenabhangigkeit und die absoluten Werte der Wirkungsquerschnitte der Photoionisation wurden fur tief-liegende Defektniveaus in GaP untersucht. Die Messungen wurden an legierten, mit Kupfer und Sauerstoff dotierten GaP-Dioden durchgefuhrt. Die untersuchten Phanomene sind auf der einen Seite die IR-induzierte Wiederherstellung eines optischen Ladungsaustauschs und auf der anderen Seite der Kurzschlusstrom und die Verstarkung oder Tilgung dieses Stromes durch simultane IR-Einstrahlung. Das vollstandige Zwei-Niveausystem wird gelost, und Wirkungsquerschnitte der Photoionisation im Bereich von 0,6 bis 2,1 eV werden angegeben.
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