Photoreflectance measurements on ZnSe/ZnS0.25Se0.75SQW

Abstract

A series of ZnSe/ZnS0.25Se0.75 single quantum wells (SQW) of various well thicknesses are grown on (001) GaAs with low pressure metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE). Photoreflectance measurements (PR) show pronounced structures which are assigned to excitonic transitions between quantum well states. The structural properties of the samples are determined with high resolution X-ray diffraction and transmission electron microscopy. The model of Mathieu et al. is used to calculate excitonic states in a QW and a fitting procedure is developed which allows an estimate of the band offset. The structure exhibits a type II alignment which is also supported by photoluminescence (PL) measurements and which is mainly the result of a strain induced shift of the ZnS0.25Se0.75 conduction band. Mit Hilfe der Niederdruck MOVPE wird eine Reihe von ZnSe/ZnS0.25Se0.75 SQW gezogen, die sich in ihrer Topfbreite unterscheiden. Daran vorgenommene Photoreflexionsmessungen zeigen ausgeprägte Signale, die exzitonischen Übergängen zwischen QW-Zuständen zugeordnet werden können. Die strukturellen Eigenschaften der Schichten werden mit Röntgendiffraktion und Transmissionselektronen-mikroskopie ermittelt. Daher ist es möglich, durch Anpassung des Modells von Mathieu et al. zur Berechnung von Exzitonenzuständen in QW an die gemessenen Übergangsenergien den Bandoffset sehr genau zu bestimmen. Es zeigt sich, daβ sich die Bänder gemäβ Typ II anordnen, was im wesentlichen auf die große Druckverschiebung des Leitungsbandes im Wellmaterial zurückzuführen ist. Durch Photolumineszenzmessungen kann diese Interpretation bestätigt werden.