Abstract
利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能. 首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带, 然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上, 利用探针作为微电极构成基于单根GaN纳米带的两端结构压电器件. 通过改变探针加载力的大小和引入外加光源调控GaN纳米带的电流输运性能, 对单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能变化规律进行研究. 研究发现, 在有光条件下单根GaN纳米带整流开关比明显增大, 随着加载力的增大, 单根GaN纳米带电流响应值增大但整流特性减弱. 最后, 基于压电电子学和光电导效应理论, 通过分析肖特基势垒在加载力及光照作用下的变化规律解释了实验现象.
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