Abstract

Nanostructured thin films on a silicon substrate were obtained on a ceramic of zinc oxide doped with manganese oxide by high-frequency periodic pulsed laser action with f ~ 10–15 kHz, wavelength λ = 1.064 μm at power density q = 150 MW/cm2 in a vacuum chamber with p = 2.7 Pa. The surface morphology and the elemental composition of the obtained films were studied using atomic force microscopy, scanning electron microscopy, and X-ray spectral microanalysis. Features of the transmission spectra in the visible, near, and middle IR regions were determined. The electrophysical properties of the ZnO + 2% MnO2/Si heterostructure were analyzed.

Highlights

  • Ключевые слова: высокочастотное лазерное воздействие, легированный марганцем оксид цинка, структура тонких пленок; спектры пропускания и отражения, фазовый контраст, электрофизические характеристики

  • Пленки ZnO с легирующими добавками MnO2 осаждались методом высокочастотного лазерного распыления керамических мишеней в вакууме (p = 2,2 Па)

  • Максимальная фоточувствительность системы ZnO+2% MnO2/Si наблюдалась при напряжении смещения +2 В на длине волны 905 нм

Read more

Summary

Introduction

Ключевые слова: высокочастотное лазерное воздействие, легированный марганцем оксид цинка, структура тонких пленок; спектры пропускания и отражения, фазовый контраст, электрофизические характеристики. Методом высокочастотного импульсно-периодического f 10 15 кГц лазерного воздействия с длиной волны = 1,064 мкм и плотностью мощности q = 150 МВт/см2 на керамику из оксида цинка, легированную оксидом марганца, при давлении в вакуумной камере p = 2 10−2 мм рт. Изучена морфология поверхности и элементный состав полученных пленок с помощью атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа. Проведен анализ электрофизических свойств гетероструктуры ZnO+2%MnO2/Si. Ключевые слова: высокочастотное лазерное воздействие, легированный марганцем оксид цинка, структура тонких пленок; спектры пропускания и отражения, фазовый контраст, электрофизические характеристики.

Results
Conclusion

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call

Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.