O2/SF6/CH4플라즈마를 이용한 플렉시블 Polycarbonate와 PMMA의 건식 식각

Abstract

현재 플렉시블 폴리머를 이용한 MEMS (Microelectromechanical Systems) 기술이 빠르게 발전하고 있다. 그 중에서 Polycarbonate (PC), Poly Methyl Methacrylate (PMMA)와 같은 플렉시블 폴리머 재료는 광학적 특성이 우수하고 인체 친화적이며 미세 패턴 제조 공정이 용이하다는 등의 많은 장점을 가지고 있다. 본 연구는 반응성 이온 식각 기술을 이용하여 <TEX>$O_2$</TEX>, <TEX>$SF_6$</TEX> 그리고 <TEX>$CH_4$</TEX>의 삼성분계 가스의 혼합 비율에 따른 PC와 PMMA의 건식 식각 결과 및 특성 평가에 관한 것이다. 준비한 각각의 기판에 포토리소그래피 방법으로 마스크를 형성하여 샘플을 만들었다. RF 척 파워를 100 W, 총 가스 유량을 10 sccm으로 고정시켜 플라즈마 식각 실험을 실시하였다. 그 결과에 의하면 전체적으로 PMMA의 식각율이 PC보다는 약 2배 정도 높았다. 그 결과는 PC는 PMMA 보다 상대적으로 높은 녹는점을 가지고 있다는 사실과 관계가 있다고 생각한다. 또한 <TEX>$O_2/SF_6/CH_4$</TEX>의 삼성분계 가스와 <TEX>$SF_6/CH_4$</TEX>, <TEX>$O_2/SF_6$</TEX>, <TEX>$O_3/CH_4$</TEX>로 나누었을 때 <TEX>$O_2/SF_6$</TEX>의 혼합 가스에서 PMMA와 PC의 식각 속도가 가장 높았다 (PC: 5 sccm <TEX>$O_2$</TEX>/5 sccm <TEX>$SF_6$</TEX>에서 약 350 nm/min, PMMA: 2.5 sccm <TEX>$O_2$</TEX>/7.5 sccm <TEX>$SF_6$</TEX>에서 약 570 nm/min). SEM을 활용하여 식각된 표면을 분석한 결과 PC는 PMMA보다 상대적으로 식각 표면이 더 매끈하였다. 또한 표면 거칠기 분석결과 PC의 표면 거칠기는 1.9<TEX>$\sim$</TEX>3.88 nm이었지만 PMMA의 표면 거칠기는 17.3<TEX>$\sim$</TEX>26.1 nm로 현저하게 높았음을 확인할 수 있었다. There has been a rapid progress for flexible polymer-based MEMS(Microelectromechanical Systems) technology. Polycarbonate (PC) and Poly Methyl Methacrylate (PMMA), so-called acrylic, have many advantages for optical, non-toxic and micro-device application. We studied dry etching of PC and PMMA as a function of % gas ratio in the <TEX>$O_2/SF_6/CH_4$</TEX> temary plasma. A photoresist pattern was defined on the polymer samples with a mask using a conventional lithography. Plasma etching was done at 100 W RIE chuck power and 10 sccm total gas flow rate. The etch rates of PMMA were typically 2 times higher than those of PC in the whole experimental range. The result would be related to higher melting point of PC compared to that of PMMA. The highest etch rates of PMMA and PC were found in the <TEX>$O_2/SF_6$</TEX> discharges among <TEX>$O_2/SF_6$</TEX>, <TEX>$O_2/CH_4$</TEX> and <TEX>$SF_6/CH_4$</TEX> and <TEX>$O_2/SF_6/CH_4$</TEX> plasma composition (PC: <TEX>${\sim}350\;nm/min$</TEX> at 5 sccm <TEX>$O_2/5$</TEX> sccm <TEX>$SF_6$</TEX>, PMMA: <TEX>${\sim}570\;nm/min$</TEX> at 2.5 sccm <TEX>$O_2/7.5$</TEX> sccm <TEX>$SF_6$</TEX>). PC has smoother surface morphology than PMMA after etching in the <TEX>$O_2/SF_6/CH_4$</TEX> discharges. The surface roughness of PC was in the range of 1.9<TEX>$\sim$</TEX>3.88 nm. However, that of PMMA was 17.3<TEX>$\sim$</TEX>26.1 nm.