Modelling of the Gettering by Mechanical Damage of the Metallic Impurities in Silicon

Abstract

减少在场的金属性的杂质的集中基于 insilicon 的电子部件戏在制造的一个重要角色。由导致的机械损坏的用吸气剂吸气是在抵销这些杂质使用的方法之一。模仿这类用吸气剂吸气，我们明确地由于机械损坏包括陷井的角色，基于撵走的机制。在我们的模型，我们包括杂质的集中选择必要参数，厚度，温度，时间，等等。从文学估计的硅 interstitials 的散开系数和平衡集中被适应了在对试验性的数据的好同意。