Investigation of gallium selenide films, grown by the hot wall method, on silicon substrates

Abstract

Des couches de 50∼00 nm d'epaisseur sont formees par evaporation thermique suivant la methode de la paroi chaude. La phase est cubique de type blende avec le parametre cristallin a o N 0,543 nm. Texture polycristalline. Proprietes electrophysiques: caracteristique capacite-tension. Concentration des porteurs de charge et piegeage