Abstract
With the use of deep level transient spectroscopy (DLTS) the effect of injection of minority charge carriers (electrons) on an annealing rate of self di-interstitial – oxygen (I2O) complex in silicon has been studied. The complex has been formed by irradiation of epitaxial boron-doped n+–p diode structures with alpha-particles at room temperature. It has been shown that the disappearance of this complex at room temperature begins at a direct current density of ~1.5 A/cm2. This characteristic current density has been found for 10 W·cm p-type silicon when the total radiation defect density was less than 15 % of the initial boron concentration, a divalent hole trap with energy levels of Ev + 0.43 eV and Ev + 0.54 eV has been found to appear as a result of recombination-enhanced annealing of the I2O. When the I2O complex is annealed thermally, the concurrent appearance of an electron trap with an energy level of Ec – 0.35 eV has been observed. It has been shown that the divalent hole trap represents a metastable configuration (BH-configuration) of the bistable defect, whereas the electron trap is stab le in the p-Si configuration (ME-configuration). From the comparison of DLTS signals related to different defect configurations it is found that the ME-configuration of this bistable defect can be characterized as a center with negative correlation energy. It has been shown that the injection-stimulated processes make it very difficult to obtain reliable data on the formation kinetics of the bistable defect in the BH-configuration when studying the thermal annealing of the I2O complex.
Highlights
Рекомбинационно-стимулированному отжигу подвержены не только простейшие дефекты (V, I, Bi, Ali), но и комплексы дефектов
The complex has been formed by irradiation
It has been shown that the disappearance of this complex
Summary
Параметр Et есть энергия ионизации ловушки, а множитель At определяется свойствами полупроводника и сечением захвата носителей заряда ловушкой. 1. Эволюция спектров DLTS после альфа-облучения (1) и последующего пропускания в течение 2 мин прямого тока с плотностью Jf = 1,6 A/см (2); Jf = 6,4 A/см (3); Jf = 12,8 A/см (4). После пропускания прямого тока с плотностью 12,8 А/см в течение такого же промежутка времени пик Н1 исчезает полностью, а амплитуда пиков ВН1 и ВН2 достигает максимума (кривая 4). Как показывают наши предыдущие исследования [4], изменения амплитуд пиков Н4 и Н5 не связаны с пропусканием прямого тока, а обусловлены термическим отжигом междоузельного углерода (пик Н4) за время нахождения диода при комнатной температуре. С использованием чисто термического отжига может быть исследована только корреляция между исчезновением центра Ev + 0,09 эВ и бистабильной ловушки, находящейся в конфигурации МЕ1, как это показано на рис. С использованием чисто термического отжига может быть исследована только корреляция между исчезновением центра Ev + 0,09 эВ и бистабильной ловушки, находящейся в конфигурации МЕ1, как это показано на рис. 3
Sign-in/Register to view highlights & summary 
Published Version (
Free)
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call