HREM investigations of the NiSi2/Si{111} interfaces bounding A-type NiSi2 islands on Si(111)

Abstract

Epitaxial NiSi2 islands grown on Si(111) substrates are investigated by high-resolution electron microscopy (HREM). Those islands, which are of A-orientation have a three-dimensional shape and are bounded by different {111} planes. Lattice plane images of these interfaces are compared with crystallographic models taking into consideration the coordination of atoms at those internal boundaries. The {111} interafaces include regions of 7-fold, as well as of 5-fold coordination of the Ni atoms. The local lattice strain fields observed are related to a coordination change rather than to misfit dislocations. Corresponding structure models of the interface are discussed. Epitaktisch gewachsene NiSi2-Inseln auf Si(111)-Substraten werden mit Hilfe der hochauflösenden Elektronenmikroskopie (HREM) untersucht. Die in der A-Orientierung wachsenden Inseln sind von dreidimensionaler Form und werden von unterschiedlichen {111}-Ebenen begrenzt. Kristallgitterafnahmen dieser Grenzflächen werden mit kristallographischen Modellen verglichen, die u. a. die Koordination der Atome in der Grenzfläche berücksichtigen. In diesen Flächen sind die Ni-Atome teils 7-fach, teils 5-fach koordinaiert. Lokal auftretende Spannungsfelder des Kristallgitters sind zumeist auf Koordinationswechsel, seltener auf misfit-Versetzungen zurückzuführen. Entsprechende Modellvorstellungen werden diskutiert.