Abstract
In this paper, we present initial design of dual-band dipole antenna which able to perform when shifting high frequency band by inserting of inductive element between high-, and low-frequency dipole arms. Responses of high frequency and bandwidth at –10 dB level on the inductivity are presented in the paper. The maximum value of inductivity to be inserted is about hundreds of nH, hence, it can be implemented by microstrip lines. It is also possible to use lumped elements. Approximations of such responses with polynomials power two and lower are presented in the paper. It is shown, that the bandwidth of the S11 below –10 dB high frequency response has approximately linear behavior, so that can be used when carrying out experimental verifying of the numerical simulations. When simulating radiation characteristics the Russian standard FAF‑4D substrate was used, which can operate at frequencies up to 8–10 GHz.
Highlights
Техника сверх‐ высоких частот (СВЧ)В работе приведены результаты эскизного проектирования двухдиапазонной дипольной антенны с возможностью перестройки верхней рабочей частоты за счет введения индуктивного элемента между высокочастотным и низкочастотным диполями
Введение Печатные многочастотные излучатели сверх‐ высоких частот (СВЧ) широко используются в инфокоммуникационных приемо-передающих системах [1]
Frequency tunable antenna using a magnetodielectric material for DVB-H application // IEEE Transaction on Antennas and Propagation. 2013
Summary
В работе приведены результаты эскизного проектирования двухдиапазонной дипольной антенны с возможностью перестройки верхней рабочей частоты за счет введения индуктивного элемента между высокочастотным и низкочастотным диполями. Приведены зависимости верхней частоты и ширины полосы согласования по уровню –10 дБ от значения индуктивности. Показана квазилинейная зависимость ширины полосы согласования по уровню –10 дБ от верхней частоты, что может быть использовано на этапе натурных испытаний излучателя при его отработке на подложках из материала ФАФ‐4Д. В настоящей работе иссле‐ дуется дискретное переключение верхней рабочей частоты путем установки индуктивного элемента между высокочастотным и низкочастотным дипо‐ лями. Верхняя (а) и нижняя (б) стороны подложки двухчастотного излучателя с продольным пазом коэффициента отражения, характеризующая сте‐ пень согласования с кабелем волнового сопротив‐ ления 50 Ом Для перестройки верхней рабочей частоты был выбран интервал от 40 до 300 нГн. Стройка верхней частоты на 300 МГц при изменении управляющей индуктивности от 40 до 300 нГн. Входной коэффициент отражения двухчастотного дипольного излучателя в отсутствии индуктивного элемента y x z
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
