Abstract
The formation of single phase, tetragonal MoSi2 by light pulse irradiation of amorphous Mo/Si mixed layers is investigated. Flash lamp irradiation with a pulse duration of 10 ms and halogen lamp irradiation with heating times between 5 and 30 s are used. The Mo/Si mixed layers are deposited on a polysilicon film by alternating co-sputtering of both components in stoichiometric relation. Die Bildung von einphasigem, tetragonalem MoSi2 durch Lichtimpulsbehandlung von amorphen Mo/Si-Mischschichten wird untersucht. Es wird mit Blitzlampenimpulsen von 10 ms Dauer und mit Halogenlampenbestrahlung in Zeiten zwischen 5 und 30 s gearbeitet. Die Mo/Si-Mischschichten werden auf polykristallinen Siliziumschichten durch alternierendes Cosputtering beider Kom-ponenten im stochiometrischen Verhaltnis abgeschieden.
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