Abstract
Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single crystals and polycrystals. They are the main source of cracking. Dislocation pileups are often referred to as the cause of serrated plastic strain pattern and degradation of the external quantum efficiency of UV LEDs. A dynamic physical model describing the formation of dislocation pileup by Frank–Read source has been presented that allows characterizing not only the structure but also time parameters of pileups. We provide data on the dislocation pile−ups e.g. dislocation configuration in a pileup, number of dislocations in a pile−up as a function of external stress, formation time of new dislocation loops and time to source blocking by the opposite strain generated by pileup dislocations. We compare our experimental results for pileups formed by Frank–Read source with results for pileups of straight edge dislocations. A large calculation effort is required to take into account the interaction of pileup dislocations. To accelerate our calculations we conducted them in parallel runs using a Т−Edge−10 38−nuclei cluster.
Highlights
Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single crystals and polycrystals
A dynamic physical model describing the formation of dislocation pileup by Frank–Read source has been presented that allows characterizing the structure and time parameters of pileups
We provide data on the dislocation pile−ups e.g. dislocation configuration in a pileup, number of dislocations in a pile−up as a function of external stress, formation time of new dislocation loops and time to source blocking by the opposite strain generated by pileup dislocations
Summary
Представлена динамическая математическая модель образования дислокационного скопления источником Франка—Рида. Приведены результаты исследования полученных скоплений дислокаций: конфигурации дислокаций в скоплении, зависимости числа дислокаций в заблокированном скоплении от внешнего напряжения, время образования новых дислокационных петель, а также время до блокировки источника обратным напряжением, дислокаций скопления. Впервые образование дислокационного скопления источником Франка—Рида (ФР) рассмотрено в работе [4] при расчете акустического излучения, сопровождающего образование источника. Дислокационные скопления представляют интерес, поскольку с ними часто связывают прерывистость пластической деформации [5, 6], а также, например, деградацию внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов [7]. Вто же время представляют интерес такие параметры дислокационного скопления, производимого источником ФР, как число заблокированных дислокаций при различном внешнем напряжении, время образования дислокационных петель при воздействии на них дислокаций скопления, поля упругих напряжений, создаваемых дислокациями. Построенная модель дает возможность получения зависимостей числа дислокаций и времени образования дислокационных петель в скоплении от внешнего приложенного напряжения
Sign-in/Register to view highlights & summary Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
