Abstract
Transparent Ga-doped tin oxide (GTO) thin films were fabricated on quartz glasses from (SnO2 + Ga2O3) mixture ceramic target by direct current (DC) magnetron sputtering in Ar gas at the pressure of 4.10-3torr. X ray diffraction (XRD), Hall - effect and UV-vis spectra measurements were performed to characterize the deposited films. Films were deposited directly with different temperatures in order to investigate the influence of temperature on their electrical and optical propertises. After that GTO films were deposited at 400 oC and then were annealed in Ar gas at different temperature in order to eliminate acceptor and donor compensation. Deposited films showed p-type electrical property, polycrystalline tetragonal rutile structure and their average transmittance above 80 % in visible light range at the optimum annealing temperature of 550 oC. In addition, p-type conductivity was also confirm by the non-linear characteristics of a p-type GTO/n Si. The best electrical properties of film were obtained on 15 % wt Ga2O3-doped SnO2 target with its resistivity, hole concentration and Hall mobility were 0,63 .cm, 3,3.1018 cm-3 and 3,01 cm2V-1s-1, respectively.
Highlights
TÓM TẮTMàng SnO2 pha tạp Ga (GTO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO2 + Ga2O3) bằng phương pháp phún xạ magnetron direct current (DC) trong khí nền Ar ở áp suất 4.10-3 torr
Fabricating and investigating the influence of the temperature on electrical and optical properties of the p-type SnO2:Ga (GTO) thin films prepared by direct current (DC) magnetron sputtering
Transparent Ga-doped tin oxide (GTO) thin films were fabricated on quartz glasses from (SnO2 + Ga2O3) mixture ceramic target by direct current (DC) magnetron sputtering in Ar gas at the pressure of 4.10-3torr
Summary
Màng SnO2 pha tạp Ga (GTO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO2 + Ga2O3) bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong khí nền Ar ở áp suất 4.10-3 torr. Ảnh nhiễu xạ tia X (XRD), phương pháp đo Hall Van Der Pauw và phổ truyền qua UV- Vis được sử dụng để khảo sát đặc trưng của màng. Tính chất điện loại p màng GTO được khẳng định bởi đặc trưng I-V của tiếp xúc dị thể pGTO/n-Si. Kết quả cho thấy, màng GTO có tính chất điện loại n ở nhiệt độ đế dưới 400 oC, không dẫn điện ở nhiệt độ đế 400 oC và có tính chất điện loại p tốt nhất với điện trở suất 0,63 .cm, độ linh động 3,01 cm2V-1s-1, nồng độ lỗ trống 3,3×1018 cm-3, ở nhiệt độ ủ tối ưu 550 oC. Màng GTO có cấu trúc tinh thể bốn phương rutile của màng SnO2 và có độ truyền qua trên 80 %
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
