Abstract
Experimental results demonstrating the possibility of obtaining solar grade silicon by recrystallization of metallurgical silicon in fusible metals, e.g. tin, and pulling of single crystal silicon ingot obtained from silicon scales by the Czochralski method have been presented. Experiments for the purification of a fusible metal (tin) after the end of a cycle of silicon scales obtaining for the purpose of its reuse have been carried out. We purified tin by vacuum decontamination of tin melt, its filtration and finally zone recrystallization. Qualitative and quantitative analysis of the initial materials (silicon and tin) and their structure after sequential stages of the technological process has been carried out by X−ray fluorescent analysis on an Elvax light device. The structural features of the silicon scales have been examined using scanning electron microscopy on a REMMA106I device. The conductivity type and the electrical resistivity of the obtained single crystal silicon ingot have been measured using the four−probe method on a PIUS−1UM−K device. We show that the composition of the pulled single crystal ingot is not worse than 99.999 wt.% Si, it has the n type of conductivity and its electrical resistivity is not less than 2.0 О hm• с m. These parameters meet the requirements to solar grade silicon and confirm the possibility of its obtaining from metallurgical silicon by recrystallization in fusible metals, e.g. tin.
Highlights
Experimental results demonstrating the possibility of obtaining solar grade silicon by recrystallization of metallurgical silicon in fusible metals, e.g. tin, and pulling of single crystal silicon ingot obtained from silicon scales by the Czochralski method have been presented
Experiments for the purification of a fusible metal after the end of a cycle of silicon scales obtaining for the purpose of its reuse have been carried out
We show that the composition of the pulled single crystal ingot is not worse than 99.999 wt.% Si, it has the n type of conductivity and its electrical resistivity is not less than 2.0 Оhm·сm
Summary
Представлены экспериментальные результаты, показывающие возможность получения кремния марки «солнечный» путем рекристаллизации металлургического кремния в легкоплавких металлах, например олове, и выращиванием из полученных чешуек, после их дополнительной химической подготовки, монокристалла кремния по методу Чохральского. Описанные параметры соответствуют кремнию марки «солнечный» и подтверждают возможность его получения из металлургического кремния путем рекристаллизации в легкоплавких металлах, например олове. Т. При переработке отходов производства кремния в электронной промышленности в 2004 г. Однако эти методы не позволяют получать кремний марки «солнечный» для ФЭП с эффективностью более 15 %. Предложен экологически чистый метод получения кремния марки «солнечный» путем перекристаллизации металлургического с применением растворов−расплавов легкоплавких металлов [14,15,16]. Цель работы — решение ряда научно−исследовательских и технических проблем, связанных с разработкой лабораторной методики очистки металлургического кремния, а также кремнийсодержащих отходов с применением расплавов легкоплавких металлов, например олова, для получения кремния марки «солнечный»
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
