Desafíos de confiabilidad en dispositivos y circuitos nano-electrónicos de radiofrecuencia

Abstract

Las tecnologías de integración de circuitos nanoelectrónicos basadas en silicio se acercan al límite de su evolución. La introducción de nuevos materiales para los dispositivos de efecto de campo, incluyendo óxidos de alta constante dieléctrica y semiconductores de alta movilidad, presenta enorme potencial para la próxima generación de componentes nanoelectrónicos, en donde uno de los principales desafíos a afrontar es su confiabilidad. A su vez, el impacto de la degradación de los óxidos delgados a nivel de circuitos complejos cobra gran importancia a medida que las aplicaciones se vuelven más complejas y sus condiciones de trabajo más exigentes. En este trabajo se presenta una recolección de algunos resultados obtenidos en el área de confiabilidad con una visión integral del problema, proponiendo explicaciones físicas de la degradación en dispositivos nanoelectrónicos novedosos y generando estrategias para garantizar el desempeño de circuitos de radiofrecuencia frente al envejecimiento.