Abstract
The article deals with computer modeling of responses of multicomponent semiconductor nanoelectromechanical systems of arsenides to an attosecond radiation pulse at cryogenic (T1=77 K) and standard temperatures (T2=298 K). Kinetic curves of relaxation processes in ternary semiconductor nanolayers CdSiAs2, CdGeAs2, ZnSiAs2, ZnGeAs2, and nanolayers of variable composition CdSi1-xGex As2, ZnSi1-xGexAs2, Cd1-xZnxSiAs2 и Cd1-xZnxGeAs2 are obtained. This research reveals the differences in the average relaxation energy of nanolayers that depend on temperature and the amplitudes of energy fluctuations, and the time of reaching the plateau. A comparison with relaxation processes taking place at absolute zero temperatures is demonstrated. The radial distribution functions of atoms in the system before and after relaxation processes caused by impulsive action on the system of atoms in the semiconductor layer are considered. The modification of the peaks corresponding to the coordination spheres of atomic distribution depending on the composition of the nanolayer is described. The regularities of relaxation changes of the first order coordination spheres, as well as the regularities of relaxation destructions of the second and the third order coordination spheres at cryogenic and standard temperatures are revealed.
Highlights
Рассматривается компьютерное моделирование отклика многокомпонентных полупроводниковых наноэлектромеханических систем арсенидов на аттосекундный импульс излучения при криогенной (T1=77 K) и стандартной температуре (Т2=298К)
Рассмотрены радиальные функции распределения атомов в системе до и после релаксационных процессов, вызванных импульсным воздействием на систему атомов в полупроводниковом слое
The article deals with computer modeling of responses of multicomponent semiconductor nanoelectromechanical systems of arsenides to an attosecond radiation pulse at cryogenic (T1=77 K) and standard temperatures (T2=298 K)
Summary
Которым подвергаются структуры исследуемых полупроводников в результате импульсного воздействия, необходимо оценить изменения радиальных функций распределения атомов. Радиальная функция распределения атомов в идеальном кристалле халькопирита представлена на рисунке 2. 2. Радиальная функция распределения атомов в идеальной структуре типа халькопирит. На радиальной функции распределения атомов в структурах типа халькопирит показаны три координационные сферы. Пики на радиальной функции распределения, соответствующие второй и третьей координационной, свидетельствуют о наличии дальнего порядка в кристаллической структуре. Результаты компьютерного моделирования Методом квантовой нанокинетики были исследованы полупроводниковые НЭМС при температурах 77 и 298 К. Были получены параметры квантовой релаксации НЭМС слоев CdGeAs2, CdSiAs2, ZnGeAs2, ZnSiAs2 и слоев переменного состава по катионам типа AIIи BIV. В результате компьютерного моделирования релаксации НЭМС при воздействии импульсного облучения были получены кинетические кривые релаксации, представленные на рисунке 3. 3. Кинетические кривые релаксации энергии НЭМС слоев а-CdGeAs2, б-CdSiAs2, в-ZnGeAs2, г-ZnSiAs2 (первые 10 пс релаксации). Показатели атто-фемтосекундного процессинга нанослоев переменного состава Zn(Cd)SixGe1-xAs2 и ZnхСd1-xSi(Ge)As2 при различных температурах
Sign-in/Register to view highlights & summary Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
