Compensation Effect in the Electrical Conduction Process in a Series of Naphthyl Polyenes

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The semiconductive properties of a series of naphthyl polyenes of the type R(CHCH)nR where R stands for the naphthyl group and n = 1 to 6 are studied as a function of the adsorption of different vapours. With regard to the value of activation energy (E) in the nitrogen atmosphere, these compounds can be divided into two groups: one where the compounds contain odd number of double bonds and the other with even number of double bonds. In the case of the latter compounds the compensation effect is observed to be valid and the value of the compensation temperature (T0) is almost the same for all these compounds. The results indicate that T0 for the other compounds has a rather high value. Different T0 for the compounds having odd or even number of double bonds suggests a physical basis for the compensation effect which is expected to be related to the molecular and crystalline structure of the compounds. Die halbleitenden Eigenschaften einer Reihe von Naphtylpolyenen vom Typ R(CHCH)nR, wobei R fur die Naphtylgruppe steht und n = 1 bis 6 ist, werden in Abhangigkeit von der Adsorption verschiedener Dampfe untersucht. Bezuglich des Wertes der Aktivierungsenergie (E) in Stickstoffatmosphare lassen sich diese Verbindungen in zwei Gruppen einteilen: eine, bei der die Verbindung eine ungerade Zahl von Doppelbindungen enthalt, und die andere mit gerader Zahl von Doppelbindungen. Im Falle der letzteren Verbindungen wird beobachtet, das der Kompensationseffekt gilt, und das der Wert der Kompensationstemperatur (T0) fur alle Verbindungen fast derselbe ist. Diese Ergebnisse zeigen, das (T0) fur die anderen Verbindungen einen ziemlich hohen Wert besitzt. Unterschiedliche T0 fur Verbindungen mit ungerader und gerader Zahl von Doppelbindungen weisen auf eine physikalische Grundlage fur den Kompensationseffekt hin, von dem erwartet wird, das er mit der molekularen und kristallinen Struktur dieser Verbindungen verknupftist.