Borate 완충용액에서 니켈 산화피막의 생성 과정과 전기적 성질

Abstract

Borate 완충용액에서 Ni의 부동화 피막의 생성과정(growth kinetics)과 부동화 피막의 전기적 성질을 변전위법, 대 시간 전류법 그리고 단일 주파수 또는 다중 주파수 전기화학적 임피던스 측정법으로 조사하였다. 이때 생성되는 산화피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 p-형 반도체 성질을 보였으며, 낮은 전극전위에서 생성되는 Ni의 부동화 피막 <TEX>$Ni(OH)_2$</TEX>는 전극 전위가 증가하면서 NiO, NiO(OH)로 변화되는 것을 알 수 있었다. In a borate buffer solution, the growth kinetics and the electronic properties of passive film on nickel were investigated, using the potentiodynamic method, chronoamperometry, and single- or multi-frequency electrochemical impedance spectroscopy. The oxide film formed during the passivation process of nickel has showed the electronic properties of p-type semiconductor, which follow from the Mott-Schottky equation. It was found out that the passive film (<TEX>$Ni(OH)_2$</TEX>) of Ni formed in the low electrode potential changes to NiO and NiO(OH) while the electrode potential increases.