Abstract
La caracterisation thermique des substrats en nitrure d'aluminium AIN est un probleme actuel en micro-electronique. La methode classique dite du “flash-laser”, est mal adaptee a ce type de materiau, car necessitant des echantillons d'epaisseur superieure a 3 mm. Cette methode a ete nouvellement adaptee mais au prix d'un investissement relativement lourd. Nous avons developpe au C.N.E.T. Lannion une methode de caracterisation basee sur le principe de la mesure du flux thermique traversant un echantillon soumis a un gradient thermique connu. Originellement concue pour la caracterisation de substrats de faible conductivite, cette methode a ete adaptee au probleme pose par l'apparition de substrats tel le nitrure d'aluminium AIN de conductivite thermique pouvant etre superieure a 200 W/m.K. L'appareil mis au point, maintenant commercialise, permet la determination directe de la conductibilite thermique en quelques minutes avec une precision de l'ordre de 10 % pour une gamme de valeur de 10 a 400 W/m.K.
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