Abstract
The article describes the formation of the cluster grid structure of semiconductor crystals of A3B5 type. The deformation of the electron shells of the atoms in semiconductor crystal structure elements has been presented. Crystals of the Indium compounds and the elements from Group 5 of the Mendeleev periodic table have been used to show the energy levels where a semiconductor quantum generator is generated. The technological conditions for an A3B5 type laser realisation have been defined.
Highlights
Выяснить между какими энергетическими уровнями двухатомных молекул реализуется генерация полупроводникового оптического квантового генератора
The article describes the formation of the cluster grid structure of semiconductor crystals of A3B5 type
FIELD: electronics, materials (semiconducting quantum generators) ARTICLE TYPE: Original Scientific Paper ARTICLE LANGUAGE: Russian
Summary
ОБЛАСТЬ: электроника, материалы (полупроводниковые квантовые генераторы) ВИД СТАТЬИ: оригинальная научная статья ЯЗЫК СТАТЬИ: русский. Краткое содержание: Обосновано образование кластерной решеточной структуры полупроводниковых кристаллов типа А3В5. Каким образом происходит деформация электронных оболочек атомов составных элементов полупроводниковой кристаллической структуры. На примере кристаллов из соединений индия с элементами пятой группы таблицы Менделеева установлено, между какими энергетическими уровнями реализуется генерация полупроводникового квантового генератора. Необычные свойства полупроводниковых лазеров ставят следующую цель: рассмотреть, как формируются кристаллические полупроводниковые структуры, на основе которых реализованы и могут быть реализованы квантовые генераторы, и рассмотреть это на наноуровне, обосновав энергетическую структуру такого состояния, и выяснить с каких энергетических термов осуществляется переход, который определяет генерацию ОКГ на примере кристаллов типа А3В5. Поставленная цель может быть достигнута путем решения следующих задач: 1. 2. Какие происходят деформации электронных оболочек составных элементов полупроводниковой кристаллической структуры? 3. Выяснить между какими энергетическими уровнями двухатомных молекул реализуется генерация полупроводникового оптического квантового генератора. Решение поставленных задач осуществлено путем применения двухчастичной квантовой механики, которая разработана в работах (Гречихин, и др. 2010, стр.6-33), (Гречихин, 2004, стр.77-108), (Гречихин, 2008, стр.[17-46])
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
