Abstract
در این پژوهش تقویت باریکه لیزر تپی فمتوثانیه Ti:sapphire در تقویت کننده بازتولیدی با آرایش هندسی Z براساس روش تقویت تپ چیرپ بررسی شده است. برای انتقال تپ ورودی اولیه به داخل کاواک تقویت کننده و استخراج تپ تقویت شده از دو سلول پاکل استفاده شده است. زمان شکل‌گیری تپ تقویت شده برحسب انرژی لیزر دمش مطالعه و روند تحول تپ در داخل کاواک تقویت کننده مورد بررسی قرار گرفته است. مدت زمان تپ تولید شده در داخل کاواک بدون حضور تپ ورودی اولیه 80 نانوثانیه و فرایند شکل‌گیری تپ تقویت شده 38 نانوثانیه است. باریکه لیزر تپی فمتوثانیه تقویت شده با نرخ تکرار 10 هرتز در طول موج مرکزی 800 نانومتر با بیشینه انرژی 2 میلی‌ژول بعد از 17 رفت و برگشت در داخل کاواک تقویت کننده بازتولیدی با استفاده از انرژی دمش 15 میلی ژول در طول موج 532 نانومتر تولید شده است. طول موج باریکه لیزر تقویت شده 800 نانومتر با پهنای بینابی 30 نانومتر است که نسبت به باریکه لیزر تشدیدگر 30 نانومتر باریک‌تر شده است. کارایی تقویت نسبت به انرژی دمش برابر 13 درصد و ضریب تقویت در این آرایش برابر با 106 به‌دست آمده است.
Published Version (
Free)
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call