Addition Reaction of Pentacoordinated Silicon Compounds by R<SUB>3</SUB>SiX with NR’<SUB>3</SUB>

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对R3SiX（R=H、CH3；X=F、Cl、Br、I）与NR＇3（R’=H、CH3）的加成物用量子化学密度泛函方法在B3LYP／631g（d,p）基组下（X原子采用cep-121g基组）进行了两种加成方式的研究．一种是NR＇3沿Si-X键轴向位置的加成，另一种是NR＇3沿Si-X键侧向接近的加成．计算结果表明，前者更稳定且更容易形成加成物；Si上斥电子基团不利于Si-N键的形成，而N上斥电子基团则有利于Si-N键的形成；NH3-H3SiX系列和N（CH3）3-H3SiX系列均能以两种方式进行加成，NH3-H2（CH3）SiX系列仅能沿Si-X键轴向进行加成，而NH3-H（CH3）2SiX和NH3-（CH3）3SiX系列两种方式都不能进行加成；在同系列加成产物中，以X=Cl时所得加成物最稳定．讨论了所有加成物中各键的性能、NBO电荷变化、取代基对加成物结构和稳定性的影响，并对H3SiX（X=F、Cl、Br、I）与NH3及N（CH3）3加成物在有机溶剂中导电的可能性进行了讨论．