Abstract
次世代の高速大容量信号処理用デバイスの実装構造として期待されている,微細バンプを二次元エリアアレイ状に配置したフリップチップ実装構造における機械的信頼性課題について,ピエゾ抵抗効果を応用したマイクロひずみセンサアレイを内蔵させたセンサチップを使用して検討した.その結果,バンプピッチやアンダーフィル材質に依存してシリコンチップには最大で約5μmにも達する局所残留変形が発生し,バンプ間のシリコンチップ内部には数100MPaに達する局所応力分布が発生することを明らかにした.したがって,今後のデバイス開発においてはこの局所残留応力制御が極めて重要な検討課題になることを示した.
Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callMore From: The Proceedings of Autumn Conference of Tohoku Branch
Disclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
