Abstract
Рассмотрен процесс термооксидирования арсенида галлия и фосфида индия под воздействием бинарных оксидных композиций (хемостимулятор+хемостимулятор и хемостимулятор+инертный компонент). Установлены и интерпретированы нелинейные эффекты зависимости толщины оксидной пленки на поверхности GaAs и InP от состава композиции оксидов-хемостиуляторов. Доказана возможность получения аддитивной во всем интервале составов зависимости толщины оксидной пленки на поверхности GaAs от состава при использовании композиций оксид-хемостимулятор+инертный компонент. Установлена пространственная локализация связывающих взаимодействий между оксидами-хемостимуляторами, которые приводят к наблюдаемым нелинейным эффектам. Синтезированные таким способом тонкие пленки на поверхности GaAs и InP обладают улучшенными электрофизическими свойствами и проявляют газочувствительный отклик в атмосфере газов-восстановителей.
 
 Результаты исследований получены на оборудовании Центра коллективного пользования Воронежского государственного университета. URL:http://ckp.vsu.ru
 Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № №18-03-00354_а
Highlights
Dependence of gas sensitivity on the temperature of thin films obtained under the influence of 50% PbO + 50 % Bi2O3 composition in ammonia vapors]
Nonlinear effects are characterized by different signs of deviation from the additive straight – negative, positive and alternating
There is a clear correlation between the existence of acid-base and oxidation-reduction interactions in the compositions chemostimulators and nonlinear effect’s sign
Summary
Для процесса термооксидирования GaAs под воздействием композиций MnO2+PbO отклонение толщины оксидной пленки на поверхности GaAs от аддитивности отрицательно во всем диапазоне составов и увеличивается с ростом времени. Общей тенденцией развития нелинейных эффектов с температурой и временем практически для всех систем является усиление отрицательного отклонения от аддитивности и ослабление положительного, за исключением композиций с участием оксида хрома (VI), когда имеет место не только положительное отклонение от аддитивной прямой во всем интервале составов композиции оксидов-хемостимуляторов, но и усиление этого эффекта при увеличении параметров процесса. Если между оксидами композиции имеет место кислотно-основное или окислительно-восстановительное взаимодействие (а не просто превращение одних оксидных форм в другие), то будет иметь место положительное отклонение от аддитивности, усиливающееся с ростом времени и температуры процесса, как например, для композиций с участием оксида хрома (VI) (интенсификация взаимодействий, приводящих к новым активным формам и путям воздействия на рост пленки на поверхности полупроводника). Композиции оксид d-элемента + оксид d-элемента [Composition of oxide of the d-element + oxide of the d-element]
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
