Abstract
Рассмотрены особенности хемостимулирующего воздействия оксидов металлов на процесс термооксидирования полупроводников AIIIBV. Установлено, что химическая природа оксида-хемостимулятора и способ его введения в систему (из газовой фазы или нанесение на поверхность полупроводника) определяют механизм процесса. Оксиды р-металлов (PbO, Sb2O3, Bi2O3) реализуют транзитный механизм оксидирования независимо от способа их введения в систему. Оксиды d-металлов (MnO2, V2O5, CrO3), вводимые через газовую фазу, выступают в роли хемостимуляторов-транзиторов. Воздействие наноразмерных слоев NiO и Co3O4 развивается по транзитному типу. Для нанесённых на поверхность полупроводника наноразмерных слоёв V2O5 механизм их воздействия на процесс оксидирования АIIIВV в значительной мере определяется методом нанесения (в рамках одного способа) – мягким или жёстким.
 
 Результаты исследований получены на оборудовании Центра коллективного пользования Воронежского государственного университета. URL: http://ckp.vsu.ru 
 Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 16-43-360595 р_а
Highlights
The use of oxides as chemostimulators of AIIIBV thermal oxidation alters the mechanism of the process of thermal oxidation of semiconductors from its own to that of transit or catalytic
The mechanism of the process is determined by the chemical nature of the oxide-chemostimulator and the way it is introduced into the system
The effect of nanosized NiO and Co3O4 layers in the processes of InP and GaAs thermal oxidation develops as a transit type, which is confirmed by EEA values, which are of the same order of magnitude as the EEA of own oxidation of semiconductors, the consumption of oxide-chemostimulators with the passing of the process in time, a significant decrease in the relative increase in film thickness during the advanced stage of the process
Summary
Хемостимулированное термооксидирование полупроводников АIIIВV за счет изменения механизма процесса с собственного на транзитный либо каталитический позволяет блокировать отрицательный канал связи между реакциями окисления компонентов АIII и ВV при собственном термическом оксидировании АIIIВV, добиться ускоренного формирования пленок в сравнении с собственным оксидированием, в том числе и за счет разветвления процесса посредством продуктов превращения хемостимулятора, значительно снизить рабочие параметры процесса и предотвратить деградацию пленок, целенаправленно изменять состав пленок [1, 2]. Это обеспечивает ускоренное окисление компонентов АIII и ВV по сравнению с собственным оксидированием полупроводников, поскольку уже сразу реализуется возможность передачи кислорода компонентам полупроводника при одновременной кинетической блокировке отрицательного канала связи [18]. Использование двух полупроводников типа AIIIBV – GaAs и InP – со значительно различающимся «химизмом» компонентов BV и разной направленностью отрицательного канала связи между реакциями покомпонентного окисления выявляет воздействие природы полупроводниковой подложки на процессы формирования, состав, структуру и свойства пленок. Чем галлия, и большая неметалличность фосфора в сравнении с мышьяком [23] изначально предполагают ярко выраженную склонность их оксидов к солеобразованию в результате кислотно-основных взаимодействий, что позволяет четко проследить роль вторичных превращений в процессах формирования пленок
Sign-in/Register to view highlights & summary Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a callDisclaimer: All third-party content on this website/platform is and will remain the property of their respective owners and is provided on "as is" basis without any warranties, express or implied. Use of third-party content does not indicate any affiliation, sponsorship with or endorsement by them. Any references to third-party content is to identify the corresponding services and shall be considered fair use under The CopyrightLaw.
