Abstract
Влияние примеси Al на электрофизические свойства пленок ZnO
Highlights
В работе представлены результаты исследований структуры, электрических и оптических свойств пленок ZnO с содержанием Al от 1 до 5 ат.%, полученных методом ионно-лучевого распыления составной керамической мишени в атмосфере аргона
В соответствии с данными рентгеноструктурного анализа свежеприготовленные пленки частично кристаллизованы, поэтому их электрические параметры легко измеряются
Все спектры характеризуются порогом пропускания света в интервале 350 ÷ 400 нм и прозрачностью в видимом диапазоне 70 ÷ 95 %
Summary
Тонкие полупроводниковые пленки ZnO имеют ширину запрещенной зоны более 3 эВ, прозрачны в видимом диапазоне света, обладают прямозонной структурой, из‐за наличия дефицита кислорода характеризуются n-типом проводимости и широко используются в современной электронике [1]. Трехвалентный ион алюминия Al3+ при замещении двухвалентного цинка Zn2+ в кристаллической решетке ZnO будет вести себя как донорная примесь, что широко используется для изготовления прозрачных высокопроводящих слоев ZnO в прозрачной электронике [11] и солнечной энергетике [12]. В частности, примеси атомов V группы образуют в кристаллической решетке ZnO сложный дефект с участием вакансий цинка и ведут себя как акцепторы, позволяющие изготавливать пленки ZnO p-типа проводимости для различных изделий электроники [13]. У других исследователей [7] с ростом концентрации Al сопротивление пленок ZnO растет непрерывно, по мнению авторов за счет выхода примеси в междоузлия решетки ZnO. Определение оптимальной концентрации Al в пленках ZnO необходимо для их применения в качестве прозрачных электропроводящих покрытий в составе солнечных элементов и других изделий электроники
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
