Abstract

The paper presents an analysis of existing approaches to estimation of single event rate (SER) in integrated circuits under effects of charged particles of space radiation environment. These issues are of significant importance in the light of the expansion of the scope of practical application of cyber-physical control systems for space objects, since it is mainly due to the SER that information is lost in the register elements and in the memory cells of the electronic blocks of spacecraft. It is shown that existing models based on energy deposition in fixed sensitive volume are not applicable for SER estimations in case of high threshold linear energy transfer (LET) values. An alternative approach is proposed. It is based on diffusion charge collection model, which can be used to estimate the SER cross-sections in isotropic particle field. A universal dependence for SER estimation in integral circuits (ICs) at geostationary orbit is proposed and used as a basis for establishing classification of devices based on hardness assurance levels. The obtained results provide the grounds for setting test requirements that has to be met during single event effects testing of ICs.

Highlights

  • Введение В настоящее время наиболее критичным радиационным эффектом в интегральных схемах электронной аппаратуры космического назначения из-за воздействия отдельных тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) стали одиночные радиационные эффекты (ОРЭ) [1,2,3,4]

  • The paper presents an analysis of existing approaches to estimation

  • These issues are of significant importance in the light

Read more

Summary

Introduction

Введение В настоящее время наиболее критичным радиационным эффектом в интегральных схемах электронной аппаратуры космического назначения из-за воздействия отдельных тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) стали одиночные радиационные эффекты (ОРЭ) [1,2,3,4]. В настоящей работе представлен анализ существующих подходов и предложена относительно простая модель для оценки частоты ОРЭ в ИС при воздействии ТЗЧ космического пространства. 1. Нормированные зависимости сечений ОРЭ от значений ЛПЭ при использовании различных аппроксимаций, символы экспериментальные значения: а) одиночные сбои в ПЛИС XC7S25; б) тиристорные эффекты в микроконтроллере ATTiny13

Results
Conclusion
Full Text
Published version (Free)

Talk to us

Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have

Schedule a call