X-ray plane wave topography using asymmetric reflections is used for imaging of microdefects, generated in an annealed Cz-Si crystal wafer. Defects are introduced using metallic contaminants and surface damage before carrying out a rapid thermal annealing (RTA) process. Different contributions to the diffraction pattern from components of the long-range strain field created in the specimen by thermal stress are investigated in the Bragg and Laue cases. The morphology of the microdefects (probably precipitates of metal silicides) is described. The simultaneous existence of large microdefects immersed in a high density distribution of small defects is observed. Large microdefects near the crystal surface are classified into two categories. Images observed for different orientations of the diffraction vector indicate that the elastic field of the large microdefects is close to spherical symmetry. Es wird gezeigt, daß Röntgentopographie ebener Wellen mit asymmetrischen Reflexionen eine empfindliche Methode für Nachweis und Beobachtung von Mikrodefekten. (10 bis einige hundert μm groß), die in ausgeheilten Cz-Siliziumwafern entstehen, ist. Die Defekte werden mit Hilfe von metallischen Verunreinigungen und Oberflächenkratzen erzeugt und dann mit dem RTA-Verfahren rasch abgeschreckt. Verschiedene Beiträge zu den Interferenzmustern des durch Ausheilen verur-sachten Verzerrungsfeldes werden für verschiedene Reflexionen im Bragg- und Laue-Fall untersucht. Die Morphologie dieser Mikrodefekte (wahrscheinlich Ausscheidungen von Metallsiliziden) wird beschrieben. Die gleichzeitige Anwesenheit großer Mikrodefekte, die in einer dichten Verteilung von kleinen Defekten eingeschlossen sind, wird beobachtet. Große Mikrodefekte, die nahe der Oberfläche liegen, fallen in zwei Kategorien. Ähnliche Bilder für verschiedene Orientierungen des Interferenz-vektors weisen darauf hin, daß das elastische Verzerrungsfeld der großen Mikrodefekte sphärische Symmetrie aufweist.