Abstract
The defects in silicon based multilayer epitaxial structures intended for power epitaxial-diffusion devices as initial material were studied by x -ray topography techniques. It was shown the dislocation nets with non-uniform distribution of dislocations both over thickness and layer square in the form of dense rows (dislocation walls) or slip bands were principal defects in initial epitaxial layers and have influenced on electrical characteristics of power devices.
Highlights
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙМетодами рентгеновской дифракционной топографии исследованы дефекты в многослойных эпитаксиальных структурах на основе кремния, предназначенных для использования в качестве исходного материала для изготовления силовых эпитаксиально−диффузионных полупроводниковых приборов.
Многослойные эпитаксиальные структуры на основе кремния являются сегодня основным исходным материалом для крупносерийного производства таких массовых силовых полупроводниковых приборов, как быстровосстанавливающиеся эпитаксиальные диоды (FRED), биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), силовые транзисторы с МОП−затвором (power MOSFET) и т.
Поэтому исследование качества кристаллов для выявления дефектов, оказывающих отрицательное влияние на электрические характеристики приборов и уменьшающих выход годных полупроводниковых структур, является важной практической и экономической задачей.
Summary
Методами рентгеновской дифракционной топографии исследованы дефекты в многослойных эпитаксиальных структурах на основе кремния, предназначенных для использования в качестве исходного материала для изготовления силовых эпитаксиально−диффузионных полупроводниковых приборов. Многослойные эпитаксиальные структуры на основе кремния являются сегодня основным исходным материалом для крупносерийного производства таких массовых силовых полупроводниковых приборов, как быстровосстанавливающиеся эпитаксиальные диоды (FRED), биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), силовые транзисторы с МОП−затвором (power MOSFET) и т. Поэтому исследование качества кристаллов для выявления дефектов, оказывающих отрицательное влияние на электрические характеристики приборов и уменьшающих выход годных полупроводниковых структур, является важной практической и экономической задачей. Для анализа структурного совершенства и дефектов в монокристаллическом кремнии, а также в эпитаксиальных и диффузионных слоях на его основе в настоящее время успешно используют методы рентгеновской дифракционной топографии (РДТ) [1, 2]. Связанные и с конкретными характеристиками приборных структур
Sign-in/Register to view highlights & summary Sign-in/Register to access full text options 
Free) 
Talk to us
Join us for a 30 min session where you can share your feedback and ask us any queries you have
Schedule a call
